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新日本無線開發完成設有旁通電路低噪聲放大器
近年來，為了降低手機成本，RF-IC的CMOS化在不斷地進步。以往的低噪聲放大器內置于RF-IC內，但是CMOS工藝很難構成便宜又具有高線形性的低噪聲放大器。所以有必要增加外部元件的低噪聲放大器。因此，要通過CMOS工藝來降低成本，外部元件的高線形性的低噪聲放大器是必要的。NJG1138HA8就是能滿足這種要求的設有旁通電路低噪聲放大器。用于900MHz頻段W-CDMA模式手機終端。
NJG1138HA8是由低噪聲放大電路、旁通電路、控制用邏輯電路構成的低噪聲放大器。具有內置高線形性、低消耗電流、ESD保護電路等特征，并且為防止離基地局較近地區發生的強磁場輸入時所造成的放大器視失真，設置了不經過放大電路的旁通模式(Low gain模式)。
通過使用高性能HJ FET工藝，NJG1138HA8即實現了高線形性 (IIP3 0dBm typ.@VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz)和低消耗電流(2.3mA typ.@VCTL=1.8V)。
內置保護元件，用HBM(Human Body Model)方法，NJG1138HA8實現了2000V以上的高ESD(Electrostatic Discharge)靜電耐壓
產品性能及特點概要
●低工作電壓：+2.8V typ.
●低控制電壓：+1.8V typ. [high gain 模式]
●低消耗電流：2.3mA typ.@VCTL=1.8V
●高增益：16.0dB typ.@VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz
●低噪聲指數：1.4dB typ.@VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz
●高1dB壓縮時的輸入電力：-8.5dBm typ.@VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz
●高輸入IP3：0dBm typ.@VCTL=1.8V, fRF =942.5MHz
[low gain 模式]
●低消耗電流：10μA typ.@VCTL=0V
●高1dB壓縮時的輸入電力：+16.0dBm typ.@VCTL=0V, fRF=942.5MHz
●高輸入IP3：+14dBm typ.@VCTL=0V, fRF=942.5MHz
●符合無鉛無鹵化物標準
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